大力推进先进半导体、届济机器人、届济增材制造、智能系统、新一代航空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化，形成一批新增长点。

南电打为制备具有优异抗氧化Cu薄膜的提供了理论基础。产物d.Cu-Al2O3异质界面的ABF-STEM图像和叠加原子模型。

业博余好这种具有（111）平坦表面的Cu薄膜有力的推动了半导体和电光工业应用工业的发展。览会两万e.从双原子台阶跃边的外部到内部(蓝色方块)。开幕卡选b.(111)平面的强度分布对比。

届济g.不同表面粗糙度的PCCF和SCCF样品的热重分析©2022SpringerNature图3界面结构和晶体关系。b，南电打c.HRTEM图像的平面内(Exx)和平面外(Eyy)应变场图。

产物a.在[110]取向下观察到的铜薄膜表面区域的HRTEM图像。

业博余好c.a图中虚线框标记区域的放大HRTEM图像。【导读】基于可逆晶格氧的氧化还原作用，览会两万为过渡金属（TM）氧化物材料提供了优异电化学活性，从而广泛用于电催化和电池。

富含A的层状材料（A代表Li、开幕卡选Na、Mg、空位）中，缺乏过渡金属配位环境的氧原子在电化学激活晶格氧中起关键作用。届济（g）NLMO经过30次循环后的拉曼光谱。

（f）在2.0-4.5V的范围内循环的第1、南电打10和30圈NLMO的充放电曲线。图四、产物NLMO和NLTMO中氧稳定机制贡献的量化（a，b）NLMO和NLTMO对SOC的有效磁矩取决于初始充放电过程中不同的SOC。